Автор оригинала: Don Scansen. Считается, что эпоха FinFET транзисторов в полупроводниковых технологиях зашла далеко за рамки первоначальных прогнозов. Концепция расширения транзисторных каналов в третье измерение для улучшения электростатики затвора и управления проводимостью в канале впервые появилась на рынке под названием Intel Tri-Gate.

Производители сохранили жизнеспособность finFET транзисторов за счет 5-нанометрового техпроцесса и (среди прочих инноваций) использования каналов с высокой мобильностью, в которых используются альтернативы чистому кремнию.

Несмотря на то, что некоторые эксперты предрекали закат этой технологии раньше остальных, ее конец действительно приближается. Поскольку в 2020 чипы производились по 5-нм техпроцессу, в процессорах от Apple используются finFET транзисторы от TSMC. TSMC – одна из компаний, планирующих выжать из технологии finFET еще одно поколение чипов, поскольку она уже объявила о планах создания чипов по 3-нм техпроцессу.

На замену finFET придут нанопроволока или технология Gate All Around (GAAFET). Ранние реализации этой технологии, на самом деле представляют собой проволоку плоской формы – Nanosheet («нанолист»). Samsung объявила о переходе на технологию Multi-Bridge Channel FET, или MBCFET для 3-нм техпроцесса. Кто-то может сказать, что это заявление и планы компании на 2021 год очень смелы. Они действительно агрессивны, но для меня это самая захватывающая технологическая новость, за которой стоит следить в новом году.

Snapdragon 888 — скоро появится в телефонах

Новый Snapdragon 888 станет третьим крупным устройством от TSMC, собранным на 5-нм техпроцессе – самой передовой технологии массового производства (Apple A14 и M1 выйдут на рынок первыми). Так получилось, что он также является вторым процессором для мобильных приложений, но Snapdragon 888 превосходит конкурентов по нескольким ключевым аспектам.