В Samsung Electronics первыми начали производить передовые 3-нанометровые микрочипы. Новые чипы будут меньше, мощнее и эффективнее. Их собираются использовать в высокопроизводительных вычислительных приложениях, а потом внедрят в смартфоны и другие гаджеты.

«По сравнению с 5-нм техпроцессом 3-нм техпроцесс первого поколения позволяет снизить энергопотребление до 45%, повысить производительность на 23% и повысить плотность размещения на 16%», — говорится в заявлении Samsung.

В компании заявили, что изменили структуру транзисторов в рамках 3-нм технологии. Помимо транзисторов с окружающим затвором (GAA), говорится о компоновке MBCFET и использовании наностраниц при формировании каналов транзистора.

Аббревиатура MBCFET (multi-bridge channel FET) — это зарегистрированная торговая марка Samsung. В широком смысле это транзисторы GAAFET с кольцевым или всеохватывающим затвором, когда канал или несколько каналов транзистора окружены затвором со всех четырех сторон.

Ранее в компании рассказали о пятилетнем плане инвестирования $356 млрд долларов в массовое производство чипов на основе 3-нм процесса. Большинство современных микрочипов в мире производят всего две компании — Samsung и тайваньская TSMC.

Ожидается, что TSMC начнет массовое производство своих 3-нм чипов только в конце этого года. Первым заказчиком станет Apple, которая закажет производство SoC M2 Pro и M2 Max.