Группа исследователей из Гонконга изобрела инновационный метод получения высококачественной наносетки при более низких температурах и расходах, чем у имеющихся аналогов. Это открытие позволяет наладить массовое производство наносеток для электроники будущего поколения.

Наносетка — разновидность наноразмерных материалов, сформированная в виде ячеек из нанопроволоки. На протяжении нескольких десятков лет инженеры искали новые способы применения одномерных материалов из кристаллических неорганических материалов, обладающих свойствами механической гибкости, энергетической эффективности и оптической прозрачности. Однако возможности масштабирования и интегрирования наноразмерных полупроводников оставались нерешенными.

В попытке преодолеть эти затруднения команда ученых из Городского университета Гонконга открыла новый метод получения наносеток методом выращивания в паровой фазе, который позволяет наладить крупномасштабный синтез полупроводниковых наноматериалов из теллурия для нужд электроники, в частности, для устройств интернета вещей, пишет EurekAlert. Прорывной метод позволяет получать высококачественные теллуриевые наносетки на различных подложках, включая оксид кремния, полимеры и даже бумагу.

Для запуска процесса роста теллуриевый порошок выпаривают, а затем нагревают до 100 °C в присутствии газа аргона. Применяя ванн-дер-ваальсовы силы, ученые успешно создали наносетки, состоящие из самособирающихся теллуриевых нитей, на произвольно выбранных поверхностях при низкой температуре в 100 градусов. Современные технологии этого не позволяют.

Менее жесткие, чем обычно, условия производства открывают возможность массового производства недорогих устройств для новой электроники, сочетающей высокую эффективность и механическую прочность с гибкостью.