В ответ на международные санкции, ограничивающие доступ к передовым технологиям, Китай активно разрабатывает собственные методы производства микросхем. Основное внимание уделяется созданию литографической «пушки» на основе синхротронных источников света, которая, по ожиданиям, превзойдет возможности современных EUV-сканеров компании ASML.

В свете запрета на поставку в Китай EUV-сканеров от компании ASML, китайские производители исследуют альтернативные методы литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне для создания передовых чипов. Один из потенциальных путей — использование синхротронных источников света, мощность которых может превзойти возможности плазменных лазеров ASML.

Синхротронные источники света представляют собой кольцевые ускорители электронов. Для создания EUV-излучения мощностью около 1 кВт потребуется кольцо диаметром от 100 до 150 метров. Эта мощность позволит производить чипы с технологическими нормами до 2 нм, в то время как текущие EUV-сканеры ASML мощностью до 500 Вт обеспечивают выпуск 3-нм чипов.

Проект синхротрона может потребовать значительных инвестиций в инфраструктуру, что делает его менее привлекательным для коммерческих компаний, таких как ASML. Однако в Китае, благодаря обилию ресурсов и рабочей силы, создание такой установки не представляется проблемой. По данным источников, место для строительства EUV-"пушки» в Сюньгане уже выбрано.

Эти новости последовали за запуском флагманского смартфона Huawei Mate60 Pro 29 августа, который использует 7-нанометровый чип, произведенный с использованием технологии обработки N+2 компании Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC) и глубокой ультрафиолетовой литографии ASML.

Однако, несмотря на все достижения и планы, некоторые китайские эксперты считают, что еще слишком рано говорить о том, что Китай сможет создать собственную EUV литографию. Несмотря на наличие ускорителя SSMB, для создания литографического оборудования потребуются значительные усилия в области производства линз и рабочих платформ.