Распространение 5G и приложений, работающих с ИИ, повышает спрос на скоростные оптические чипы. Южнокорейские ученые разработали и, что важно, подготовили к массовому производству лазерное устройство с интегрированным модулятором электроабсорбции, способное передавать данные на расстояние до 30 км со скоростью 25 миллиардов бит в секунду.

Для того чтобы справиться с большим трафиком данных сетевое оборудование обычно использует лазерные диоды с прямой модуляцией (DML). Однако когда скорости и дистанции нарастают, эти лазеры тормозят работу системы и ухудшают качество сигнала.

Специалисты Научно-исследовательского института электроники и телекоммуникаций разработали вместо них лазер с интегрированным модулятором электроабсорбции (EML). Он модулирует интенсивность исходящего света намного быстрее, чем DML, и абсорбирует свет моментально, пропорционально приложенному напряжению.

Такой подход существенным образом повышает скорость модуляции по сравнению с DML. Сейчас только несколько компаний мира поставляют EML на рынок. Таким образом, новая разработка имеет неплохие шансы стать самой востребованной, пишет EurekAlert.

Вдобавок, команда исследователей смогла с успехом разработать технологию массового производства EML несмотря на то, что это крайне непростой продукт. Арсенид индия-алюминия-галлия со своими высокими показателями выходной интенсивности и скорости модуляции в лазерных диодах, но обладавший низкой надежностью, был заменен на фосфид арсенида индия-галлия.

В результате EML, изготовленный промышленным способом, способен передавать данные на скорости 25 Гбит/с при температуре от комнатной до 55 градусов Цельсия. Вдобавок, он достиг высокой скорости модуляции, важного параметра для сетей дата-центров, на уровне 100 Гбит/с.

Массовым производством займется компания ELDIS. Сначала она наладит выпуск устройств для местного и зарубежного рынка 5G, а во второй половине следующего года приступит к производству 100-гигабитных устройств для дата-центров.