Состязание между Samsung и TSMC на рынке контрактного производства полупроводниковых компонентов с технологиями 3 и 4 нм становится все более напряженным. Samsung достигла сравнимых с TSMC показателей по производству годной продукции, сообщает корейская газета Kukmin Ilbo. Технология 4 нм стала для Samsung последним этапом использования транзисторов FinFET, которые впервые появились на норме 16 нм.

Согласно отчету компании Hi Investment & Securities, Samsung Electronics достигла 75% выхода годных 4-нм кристаллов, в то время как у TSMC этот показатель составляет 80%. Техпроцесс 4 нм используется в центральных и графических процессорах последнего поколения. Однако, когда речь заходит о передовой технологии 3 нм с транзисторами GAAFET (с круговым затвором), Samsung опережает конкурента, добившись 60% выхода годной продукции, тогда как TSMC сообщила только о 55%.

В пользу Samsung Electronics будет играть то, что она предварительно внедрила технологию Gate-All-Around (GAA) с 3-нм производственным процессом. TSMC и Intel планируют внедрить GAA только с 2-нм техпроцессом, что, вероятно, вызовет трудности с обеспечением высокой производительности на начальных этапах. Благодаря накопленному опыту внедрения GAA с 3-нм техпроцессом, Samsung Electronics сможет укрепить свою конкурентоспособность с течением времени.

Информационный ресурс TechPowerUp сообщает, что подразделение Intel Foundry Services представило свою собственную технологию Intel 3, способную соперничать с продукцией азиатских контрактных производителей. На физическом уровне данная технология базируется на 7-нм транзисторах FinFET, но обещает достичь характеристик, сопоставимых с 3-нм чипами от Samsung и TSMC. Переход к более передовым транзисторам GAAFET и 2 нм запланирован у американского производителя только к 2024 году.