В России создали подложку мембраны, повышающую качество добычи природного газа
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Специалисты Института нефтехимического синтеза имени Топичева Российской академии наук (ИНХС РАН) разработали уникальную подложку мембраны. Она в девять раз снижает энергозатраты на очистку природного газа от тяжелых углеводородов, что позволяет повысить качество добываемого сырья, сообщает пресс-служба Российского научного фонда (РНФ).
Результаты исследования опубликованы в журнале Separation and Purification Technology.
«Новая методика позволила получить подложки из полисульфона с рекордно высокой газопроницаемостью, в 10 раз превосходящей газопроницаемость аналогичных пористых половолоконных подложек, описанных в литературе. Так, например, за час через подложку площадью 1 кв. м при нормальном атмосферном давлении проходит 95 тыс. л углекислого газа. Разработка ученых поможет увеличить более чем в два раза производительность композиционных мембран и более чем в девять раз снизить затраты энергии на разделение природного газа», – отмечается в сообщении.
По информации пресс-службы, подложка из полисуфона представляет собой полые волокна, напоминающие трубочки, с толщиной стенки 300 микрометров. Чтобы мембрана имела минимальное сопротивление, структуру поверхности волокон вблизи внутреннего канала оптимизировали за счет подачи внутрь подложки газов пентана, гексана и гептана. Мембрана, помогающая уменьшить содержание тяжелых углеводородов в газоразделительных мембранных установках состоит из плотного разделяющего слоя и пористой подложки.
Снижение доли концентрации «тяжелых» углеродов необходимо, чтобы в трубопроводе не создавался конденсат, ухудшающий его работу, говорится в сообщении.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев