Южнокорейская корпорация Samsung Electronics разработала чип высокопропускной памяти (HBM) стандарта HBM3E самого большого на рынке объема в 36 Гб. Устройство позволит увеличить скорость обработки процессов в алгоритмах, использующих искусственный интеллект (ИИ). Об этом сообщила компания на своем информационном портале.

«Компаниям в сфере ИИ все чаще требуются HBM-устройства большой производительности, новый 12-слойный чип поможет им в этом», – заявил исполнительный вице-президент по планированию продуктов компьютерной памяти Samsung Electronics Пэ Юн Чхоль. Сообщается, что при использовании данного устройства средняя скорость обучения ИИ может увеличиться на 34%.

В чипе используется 12-слойная компоновка DRAM, что в совокупности с объемом в 36 Гб позволяет увеличить производительность устройства на 50% по сравнению со стандартом предыдущего поколения HBM3. Новый чип высокопропускной памяти позволяет обрабатывать до 1 280 Гб в секунду, что эквивалентно загрузки 40 фильмов со сверхвысокой четкостью изображения всего за одну секунду.

HBM – тип компьютерной памяти, использующий многоуровневую компоновку нескольких слоев чипов. Интегральные схемы располагаются в несколько слоев друг на друге, что позволяет уменьшить размер устройства, а также увеличить ширину шины и скорость передачи данных. Разработка этой технологии началась в 2008 году американской компанией AMD.