Делегация Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук приняла участие в 18-й международной специализированной выставке лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики», проходившей в Москве в конце марта.

Выставка объединила представителей предприятий и фирм-производителей лазерной и оптической продукции, научно-исследовательских институтов и ведущих учебных заведений Российской Федерации, Республики Армении и Республики Беларусь. В экспозиции «Фотоника-2024» свою продукцию и услуги также представили более 100 профильных китайских компаний. Информационным партнером мероприятия традиционно выступила редакция научно-технического журнала «Фотоника». Основным организатором выставки стала Лазерная ассоциация, членом которой Физический институт Лебедева РАН является фактически с момента ее основания.

На стенде ФИАН были представлены научно-технологические разработки института в области оптики, лазерных технологий, фотоники и сенсорики, оптической голографии и литографии, микроэлектроники, действующие макеты экспериментальных стендов, образцы прецизионных оптических изделий, лазерных кристаллов и микроструктур. В течение всего времени работы выставки последовательно были представлены разработки отделений центральной площадки Физического института имени Лебедева, Троицкого обособленного подразделения (ТОП ФИАН) и Самарского филиала (СФ ФИАН), в т.ч. совместные разработки разных отделений:

1. Компактный высокогерентный перестраиваемый диодный лазер с внешним резонатором для спектроскопии высокого разрешения (Лаборатория стандартов частоты, Отдел лазерных технологий ТОП ФИАН). Такие лазеры используются в прецизионной спектроскопии и квантовой оптике, в т.ч. для лазерного охлаждения атомов рубидия. Ультрахолодные атомные ансамбли являются мощнейшим инструментом многих современных экспериментов в области квантовых технологий и фундаментальных исследований. Длина волны выставочного макета компактного диодного лазера стабилизируется с помощью ячейки, заполненной парами атомов рубидия, изготовленной по оригинальной технологии. Атомные ячейки применяются в качестве чувствительных элементов в оптических и микроволновых стандартах частоты, квантовых магнитометрах с оптической накачкой, ЯМР гироскопах на изотопах Xe. Экспозиция подготовлена сотрудниками Лаборатории стандартов частоты ТОП ФИАН к.ф.-м.н. В.Л. Величанским, к.ф.-м.н. М.И. Васьковской, В.В. Васильевым, Д.С. Чучеловым; руководитель лаборатории – к.ф.-м.н. С.А. Зибров.

2. Демонстрационный стенд – макет индикатора на лобовом стекле на базе большеразмерных планарных голографических перископов для мобильных устройств (Лаборатория сверхбыстродействующей оптоэлектроники и обработки информации (СООИ), Отделение квантовой радиофизики им. Н.Г. Басова ФИАН). В лаборатории СООИ ФИАН ведутся исследования по созданию новых технологий и схем компактных дисплеев дополненной реальности с применением широкоапертурных голографических зеркал, внеосевых линз и волноводных голограмм. Особенностью таких голографических элементов является очень большой выходной зрачок оптической системы (размерами 250 на 300 мм), а также вынос зрачка более 700 мм, при том что перископ является планарной конструкцией с толщиной 6 мм. Посетителям выставки были продемонстрированы и другие элементы дисплеев дополненной реальности: планарные когерентные осветители, мультиплексоры зрачка, комплекс программ для расчета и моделирования волноводных голограмм и линз. Экспозиция подготовлена сотрудниками Лаборатории сверхбыстродействующей оптоэлектроники и обработки информации ОКРФ ФИАН; руководитель лаборатории – к.ф.-м.н. А.Н. Путилин.

3. Технология синтеза монокристаллов А2В6, легированных переходными металлами, и образцы кристаллов для лазерной генерации в среднем инфракрасном диапазоне на длинах волн 2–7 мкм (Лаборатория лазеров с катодно-лучевой накачкой, Отдел лазерных технологий ТОП ФИАН). Была представлена экспозиция из выращенных кристаллов и активных лазерных элементов: ZnSe:Cr, CdSe:Cr, CdTe:Fe, CdSe:Fe, ZnSe:Fe. Лазеры на основе таких кристаллов имеют широкие перспективы использования для спектроскопии сложных молекул, экологического контроля атмосферы, медицины, лидаров и других применений. Экспозиция подготовлена ведущим научным сотрудником Лаборатории лазеров с катодно-лучевой накачкой к.т.н. Ю.В. Коростелиным; руководитель лаборатории – д.ф.-м.н. В.И. Козловский.

4. Технология эпитаксиального выращивания гетероструктур А3В5, содержащих сурьму, имеющих барьерно-диодную архитектуру для разработки и создания на их основе матричных фотоприемных устройств для излучения среднего ИК диапазона (Лаборатория новых материалов для ИК фотоники, Отделение физики твердого тела ФИАН).