Cymer ускоряет разработку 13,5 нм источника для ЭУФ литографии
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Компания Cymer Inc. (San Diego, США), ведущий в мире производитель источников света для литографических установок, поставила цель – разработать до конца с.г. источник излучения для экстремальной ультрафтолетовой (ЭУФ) литографии, работающий в постоянном режиме при мощности излучения не менее 100 Вт [1].
Источник использует 13,5 нм излучение плазмы, возбуждаемой лазером (в данном случае, это газовый 10 кВт СО2 лазер). Прибор первого поколения будет излучать в течение 8 часов непрерывной работы, а затем, после двухчасового «отдыха» может начать работать снова. Прибор второго поколения будет работать в непрерывном режиме в течение любого разумного периода времени.
Источник экстремального ультрафиолета компании Cymer Inc.
Cymer Inc. разрабатывает источник совместно с учеными University оf California at San Diego, зарегистрировавшими патент на свое открытие, заключающее в том, более длинные импульсы СО2 лазерной системы позволяют сделать ЭУФ литографическую систему более эффективной, простой и дешевой в сравнении со случаем использования короткоимпульсных лазеров [2].
Cymer также поставляет 90 Вт источники излучения на основе фторид аргонного (ArF) лазера для иммерсионной литографии, используемой в 32-нм технологии [3].
С.Т.К.
- Источник(и):
-
1. Semiconductor: Cymer’s Year-End EUV Goal: A Full Shift
-
2. Nanowerk:Researchers create enhanced light sources for lithography
- Войдите на сайт для отправки комментариев