Наноструктуры на службе у фундаментальной физики
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Многие материалы с сильными электронными корреляциями являются неоднородными: в них спонтанно формируются области с совершенно различными свойствами (например, диэлектрические и металлические). Это существенно затрудняет (или даже делает невозможным) определение микроскопических характеристик таких материалов, поскольку результаты измерения содержат информацию, усредненную по всему макроскопическому образцу. Выход напрашивается сам собой: нужно исследовать наноразмерные образцы
Именно так и поступили сотрудники University of Washington, Seattle (США) при изучении перехода металл-диэлектрик в двуокиси ванадия [1]. Используя оптическую микроскопию, они обнаружили, что при нагревании диэлектрического бруска VO2 до температуры 68оС в нем возникает металлический домен, который с ростом температуры увеличивается в размерах и при T = 105оС захватывает весь образец (см. рис.).
Переход нанобруска VO2 в металлическое состояние при нагревании. 1 – диэлектрический нанобрусок; 2 – металлическая фаза занимает половину образца; 3 – весь наобрусок находится в металлическом состоянии. Нанобрусок имеет длину ~ 100 мкм и прямоугольное поперечное сечение ≈ 15 х 50 нм2
Измеряя удельное электросопротивление ρ различных участков нанобруска, авторы [1] установили, что, во-первых, при T < 68оС температурная зависимость ρ, как и положено диэлектрику, имеет термоактивированный вид (ширина запрещенной зоны Eg = 0.6 эВ), а во-вторых, в пределах экспериментальной погрешности ρ(T)=const при 68оС < T < 105оС (в области сосуществования диэлектрической и металлической фаз), то есть остается неизменной концентрация свободных носителей. Из этого в [1] сделан вывод, что “движущей силой” перехода металл-диэлектрик в VO2 является локальное отталкивание между электронами, как при моттовском переходе, который происходит, когда экранирование (определяемое концентрацией носителей) достигает определенного уровня (до сей поры в литературе конкурировали два механизма диэлектризации VO2: моттовский и электрон-решеточный).
Еще один интересный результат был получен при понижении температуры: оказалось, что имеет место эффект сильного “переохлаждения” металлического состояния, и диэлектрическая фаза появляется только при T = 55оС, то есть на 50оС ниже температуры ее полного исчезновения при нагревании. Таким образом, исследование нанообразцов помогает не только лучше разобраться в свойствах объемных материалов, но и найти что-то новое. На этом пути нас ждет, наверное, еще немало сюрпризов. Было бы интересно применить подобный подход и к другим сильнокоррелированным системам, например, к высокотемпературным сверхпроводникам.
Л. Опенов
- 1. J.Wei et al., Nature Nanotechnol. 4, 420 (2009)
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев