Разговоры о переходе на применение в полупроводниковой промышленности кремниевых пластин диаметром 450 миллиметров ведутся уже очень давно, и по этому вопросу мнения специалистов разделились. Одни, оптимисты, говорят о скором переходе на 450-мм пластины, тогда как другие, скептики, уверены, что высокая стоимость технологического оборудования слишком высокая, чтобы сделать 450-мм пластины явью.

По всей видимости, к этому моменту индустрия уже выбрала свой путь развития, и как всегда он немного отличается от двух указанных выше версий. Как заявили аналитики компании Semico Research Corp., крупнейшие производители электроники все же перейдут на кремниевые пластины увеличенного диаметра, но сроки перехода существенно сдвинуты относительно первоначальных оптимистичных прогнозов.

Ведущие мировые чипмейкеры, в числе которых значатся Intel Corp., Samsung Electronics Co. Ltd. и Taiwan Semiconductor Co. (TSMC) крайне заинтересованы в серийном изготовлении микросхем из 450-мм пластин. Это позволит им снизить себестоимость полупроводниковой продукции за счет повышения количества получаемых с одной пластины микрочипов. Заинтересованность крупных компаний в новых производственных мощностях заставляет его производителей, даже тех, что ранее сопротивлялись переходу на «450 миллиметров», рассматривать варианты по модернизации выпускаемого сегодня оборудования.

Полупроводниковая индустрия явно не остановится на 300-мм кремниевых пластинах. Движущей силой прогресса станет постоянно растущий спрос на микросхемы памяти, как на NAND-память, так и на DRAM-микросхемы. Все это потребует от производителей не только повышения плотности записи информации, но и увеличения объемов выпуска интегральных микросхем. Одновременно с этим постоянно растет сложность различного рода процессоров – помимо увеличения производительности (акцент сегодня сделан на увеличении количества процессорных ядер) разработчики уделяют существенное внимание функциональной оснащенности микросхем (зачастую реализация заключается в повышении количества вычислительных блоков). Понятно, что все это вместе приводит к резкому повышению стоимости разработки микросхем, повышении их сложности. Для того, чтобы предотвратить чрезмерное удорожание микрочипов производителям необходимо снижать стоимость их изготовления, а это реализуется, в том числе, и за счет перехода на кремниевые пластины большего диаметра.

В будущем полупроводниковая индустрия достигнет такой точки развития, когда ввод в строй двух фабрик по выпуску микросхем из 300-мм пластин окажется дороже, нежели организация одной фабрики с оборудованием для 450-мм пластин. При этом объемы выпуска продукции в двух указанных вариантах идентичны друг другу – у чипмейкеров появляется стимул в переходе на кремниевые пластины большего диаметра, чем используется сегодня. Возрастает и спрос на соответствующее технологическое оборудование, а значит, в числе потенциальных покупателей новых станков оказываются не только крупнейшие производители микросхем, но и чипмейкеры «второго эшелона».

Единственный вопрос – сроки перехода на применение 450-мм кремниевых пластин. Ранее планировалось, что первая партия микросхем изготовленная на основе них будет выпущена уже в 2012 году. Но из-за высокой стоимости разработки технологического оборудования, которая по некоторым оценкам достигает $20 млрд., уложиться до указанной даты чипмейкеры не смогут. Скорее всего, переход на пластины увеличенного диаметра состоится в середине текущего десятилетия, и смогут осуществить задуманное только лишь крупнейшие производители – Intel, Samsung Electronics и/или TSMC.