В выпуске сегодня:

1. Баллистическая теплопроводность графеновых лент

2. Составление 3D-карт электронной плотности для наночастиц методами дифракции сфокусированного жесткого рентгеновского излучения.

1. Баллистическая теплопроводность графеновых лент

Enrique Muoz, Jianxin Lu and Boris I. Yakobson*

Department of Mechanical Engineering & Materials Science, Department of Chemistry, and the Smalley Institute for Nanoscale Science and Technology, Rice University, Houston, Texas 77005

DOI: 10.1021/nl904206d

Дата публикации: April 19, 2010

В работе представлена методика расчета теплопроводности графеновых лент произвольной ширины w, основанная на методе упругих оболочек. Анализ модели вибрации плоскости конечной толщины привел к основному уравнению для теплопроводности σ. Для низких температур оно выражается степенным законом: σ ~ T^β, в котором показатель β зависит от ширины графеновой ленты w и меняется от 1 для узких полос (σ ~ T, как в случае 4х-канальной квантовой нити) до 3/2 в пределе широкого листа графена (σ ~ T^3/2). Как оказалось, такой результат может быть дополнен с использованием феноменологической величины длины свободного пробега фонона для последующей оценки их рассеяния и хорошего согласия с ранее опубликованными экспериментальными данными.

2. Составление 3D-карт электронной плотности для наночастиц методами дифракции сфокусированного жесткого рентгеновского излучения.

Yukio Takahashi*†, Nobuyuki Zettsu‡, Yoshinori Nishino§, Ryosuke Tsutsumi, Eiichiro Matsubara, Tetsuya Ishikawa# and Kazuto Yamauchi‡ † Frontier Research Base for Global Young Researchers, Frontier Research Center, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2–1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565–0871, Japan ‡ Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2–1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565–0871, Japan § Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, Sapporo 001–0021, Japan
Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2–1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565–0871, Japan
Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Yoshida, Sakyo, Kyoto 606–8501, Japan # RIKEN SPring-8 Center, Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679–5148, Japan

DOI: 10.1021/nl100891n

Дата публикации: April 19, 2010

Когерентная дифракционная микроскопия, использующая сфокусированные пучки жесткого рентгеновского излучения, дает возможность трехмерного наблюдения протяженных объектов с хорошим пространственным разрешением, а также предоставляет уникальную информацию о структуре образца, например, распределение электронной плотности. Причем последнюю невозможно изучать, используя методы рентгеновской томографии с линзами, атомного зондирования или электронной микроскопии. В работе были получены высоко контрастные дифракционные картины когерентного рассеяния рентгеновского излучения на частице Au/Ag определенной формы. По ним успешно воссозданы проекции, а затем и трехмерное изображение, каждый пиксель (а точнее говорить воксел) которого имеет характерный размер 4.2 нм в каждом измерении. Все неровности поверхности и полости во внутренней области частицы были явно видны. Области c повышенным содержанием Au были обнаружены на основании построенных карт, и можно сказать, что с помощью метода удалось добраться до сути образования Au/Ag «наноящиков».