Новый полевой туннельный транзистор, изготовленный на основе графена, был разработан командой ученых Манчестерского университета, возглавляемой Лауреатами Нобелевской премии профессорами Андреем Геймом и Константином Новоселовым. Использование графена в качестве ключевого материала транзисторов и других полупроводниковых приборов имеет огромный потенциал для того, что бы графен можно было рассматривать как достойную замену кремниевым технологиям. Именно этот потенциал и перспективы привлекают внимание таких производителей полупроводниковой продукции, как IBM, Samsung, Texas Instruments и Intel. И некоторые группы ученых уже успешно создали графеновые транзисторы, способные работать на частотах от 100 до 300 ГГц.

Графен, самый тонкий и прочный материал в мире, является своеобразной формой углерода, кристаллическая решетка которого имеет толщину в один атом. Обладая рядом уникальных физических и химических свойств, графен, в своем оригинальном виде не имеет совершенно никаких магнитных свойств. Т.е. он совершенно не магнитится и не реагирует на магнитные поля, как другие магнитные материалы, такие как железо или никель. Но ученые из Манчестерского университета обнаружили, что с помощью дополнительной обработки графен можно превратить в магнитный материал, что открывает совершенно новые перспективы использования этого материала в электронных устройствах.