Химики из Стенфордского Университета (Stanford University) разработали новый тип нанотранзистора. Основа полупроводникового прибора – графеновая полоска.

Графен достаточно часто используется в наноэлектронике. И все большее количество ученых говорит о его важной роли в электронике будущего. Малые размеры нанотранзисторов позволят достичь их плотной упаковки в чипах, что, естественно, в очередной раз может привести к миниатюризации электронных компонентов.

Графен сегодня как никогда актуален на фоне прогнозов о застое кремниевой микроэлектроники в следующем десятилетии. Вполне возможно, что именно этот наноматериал сможет продлить действие закона Мура об удвоении вычислительной мощности каждый год.

Команда исследователей во главе с Хонджи Даи (Hongjie Dai) для начала создали полевой транзистор, работоспособный при комнатной температуре.

Напомним, что предыдущие эксперименты ученых с графеновыми транзисторами заканчивались созданием наноустройств, для которых необходимо было поддерживать температуру около 4 К (или около –269° С), что, естественно, недопустимо для применения в широко распространенной электронике.

Теперь, похоже, перед графеном официально открылись двери в «большую микроэлектронику».

Рис. 1. Графеновый нанотранзистор на подложке SiO₂

Ширина основы нанотранзистора – графеновой ленты – всего 10 нанометров. Она крепится платиновыми электродами к основе из оксида кремния – SiO₂.

Транзистор показал достаточно удовлетворительные характеристики в ряде исследований, однако основные испытания неаноустройства еще впереди – ученые хотят детально изучить полупроводниковые свойства графена.

Сам же Дай пока трезво относится к полученным результатам – по его словам, графеновую наноэлектронику мы увидим не раньше середины следующей декады.

Свидиненко Юрий