Samsung стремится к независимой разработке MRAM

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

-->

Две южнокорейские компании Samsung Electronics Co. Ltd. и Hynix Semiconductor Inc., обе крупнейшие чипмейкеры, занимающие лидирующее положение по продажам полупроводниковой памяти, планируют объединить усилия в разработке оперативной магнитной памяти, основанной на взаимодействии спинов (spin-torque-transfer magnetic-random-access-memory, STT-MRAM) и стать промышленными лидерами в производстве чипов на подложках диаметром 450 мм.

Сообщение о новом альянсе сделано в Сеуле в присутствии официального представителя южнокорейского правительства. Цель альянса – разработка новой базовой технологии независимо от зарубежных компаний, которым до сих пор Samsung выплачивает крупные гонорары за использование лицензионных технологий.

Опубликовано в NanoWeek,


Пожалуйста, оцените статью:
Пока нет голосов
Источник(и):

1. http://www.eetimes.com/…rticle.jhtml?…

2. http://www.nanonewsnet.ru/…-podlozhkami