В ситуации возможной задержки с ЭУФ-литографией ведущие компании-поставщики литографического оборудования ASML (Veldhoven, Голландия), Canon и Nikon (обе – Япония) пересматривают свои дорожные карты, выдвигая вперед для 32– и 22-нм технологий установки 193-нм иммерсионной литографии с двойным экспонированием рисунка.

На конференции Semicon West, проходившей 15–17 июля с.г. в Сан-Франциско, голландская IMEC и японская JSR Corp. завладели вниманием аудитории, демонстрируя ролик, представляющий новый подход к методу двойного экспонирования, который включает т.н. процесс «подмораживания» первого проэкспонированного слоя. Этот процесс позволяет сократить число операций, исключив дополнительное травление для проявления рисунка. IMEC в настоящее время передает эту разработку компании ASML Holding NV для реализации его с помощью 193-нм иммерсионной литографической установки этой компании – XT:1950i.

Существует точка зрения, что ЭУФ «созреет» только ко времени, когда промышленность приступит к 16-нм технологии. Это означает, что для 32– и даже 22-нм технологических этапов чипмейкеры должны обратиться к 193-нм иммерсионной литографии, применяя двойное экспонирование рисунка критических (т.е. содержащих 32– и 22-нм элементы) слоев.

Nikon Corp. (Токио) в начале с.г. анонсировала, что разрабатывает два типа 193-нм иммерсионных сканнеров для двойного экспонирования – S611C (ранняя версия для исследовательских целей) и S620D (усовершенствованная версия для 45– и 32-нм технологии с производительностью 180 пластин в час будет готова к поставкам в 2009 г.).

В конце 2007 г. Canon Inc. (Токио) уже вступила на рынок со своей 193-нм иммерсионной установкой – AS7, которую планирует усовершенствовать для использования в операциях с двойным экспонированием при производительности до 200 пластин в час.

Компания ASML также анонсировала разработку новой модели 193-нм иммерсионной установки – Twinscan XT:1950i с увеличенной производительностью (до 148 пластин в час) в сравнении с текущей моделью XT: 1900i. Установка оптимизирована для массового производства 38-нм запоминающих схем и 32-нм логических схем с одной операцией экспонирования. В настоящее время ASML планирует оптимизировать свои установки, ориентируясь на новый процесс, разработанный совместно голландской IMEC и японской химической компанией JSR. Обычно двойное экспонирование предполагает два этапа травления рисунка критического слоя – «экспонирование-травление-экспонирование-травление». В новом подходе IMEC и JSR используется подход – «экспонирование – «подмораживание» (стабилизация) рисунка первого фоторезистивного слоя – новое экспонирование – травление». Стабилизация рисунка в первом слое резиста достигается нанесением специального раствора, разработанного JSR. Этот же слой препятствует взаимодействию первого и второго фоторезистивных слоев.

Новый подход протестирован на 32-нм рисунке.