«Нанокопья» для улучшения лазеров

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

-->

Выращивание и точное выстраивание микроскопических копьеобразных кристаллов оксида цинка на поверхности кремниевого монокристалла позволило исследователям из Университета Миссури разработать метод получения более эффективных солнечных батарей.

Джей Свитцер (Jay A. Switzer) с коллегами сообщает, что новый недорогой процесс сможет привести к разработке новых материалов, например, ультрафиолетовых лазеров или пьезоэлектрических устройств.

Switzer-spears02-web-thumb-300x219-6044.jpg «Нанокопья» растут на поверхности кремния

Исследователи из группы Свитцера вырастили «нанокопья» («nanospears») из оксида цинка на кремниевом монокристалле, помещенном в лабораторный стакан, содержащий щелочной раствор, насыщенный ионами цинка. В результате образуются наклонные монокристаллические копьевидные стержни, торчащие из поверхности кремния подобно крошечным пикам. Диаметр полученных нанокопий составляет 100–200 нанометров, а их длина – около одного микрометра.

Свитцер отмечает, что оксид цинка представляет собой полупроводник, обладающий рядом уникальных физических свойств. Материал способен как поглощать, так и испускать свет, поэтому он может использоваться и в солнечных батареях для поглощения солнечного света и в лазерах или твёрдотельных источниках света в качестве излучающего материала.

Кремний также является полупроводником, однако он поглощает свет в иной области спектра. По словам Свитцера, выращивание оксида цинка на поверхности кремния позволяет расширить область спектра, в которой солнечная батарея будет работать.

Предпринимавшиеся ранее попытки вырастить эпитаксиально ориентированный оксид цинка на поверхности кремния были затруднены вследствие необходимости использования дорогих методов, для которых требуется высокий вакуум, а также из-за высокой реакционной способности кремния, не позволяющей провести осаждение оксида цинка непосредственно на кремнии без третьего материала, берущегося в качестве «буфера».

Опубликовано в NanoWeek,


Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (3 votes)
Источник(и):

http://www.chemport.ru/datenews.php?…

http://news.mst.edu/…o_bette.html