Новые изобретения для электроники будущего
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Учёные из новосибирского Института физики им. Л. В. Киренского под руководством Дмитрия Калинина изобрели новый способ получения фотонно-кристаллических опаловых пленок. С фотонными кристаллами связывают будущее электроники
Сибирские ученые разработали новый метод получения опаловых пленок. Для выращивания используется смесь частиц кремнезема и диметил-сульфат-оксида (ДМСО). Эта смесь лиофильна, т. е. в ней твердые частицы «притягивают» к себе молекулы жидкости. Частицы кремнезема заряжены положительно, поэтому на них налипают полярные молекулы жидкости. В результате, вокруг шариков образуются оболочки, которые не дают частицам кремнезема соприкоснуться друг с другом. После приготовления смесь намазывают на подложку. Под действием силы тяжести, получившиеся частицы кремния, одетые в «шубу» из молекул жидкости, оседают, образовывая на подложке несколько слоев с большой концентрацией частиц кремнезема. Затем жидкость выпаривается и на подложке остается готовая опаловая пленка.
Получаемые таким способом пленки имеют толщину 25—30 слоев частиц кремнезема или 3—5 мкм. Частицы уложены в слои с гексагональной упаковкой параллельно плоскости подложки. По функциональным и механическим характеристикам получаемые пленки превосходят пленки, получаемые прочими способами, утверждают исследователи.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев