Специалисты из Вашингтонского и Кентуккийского университетов представили новый сополимерный полупроводниковый материал, который может демонстрировать как дырочную, так и электронную проводимость.

Бóльшая часть существующих органических полупроводников обладает исключительно дырочной проводимостью; лишь в последнее десятилетие было разработано несколько материалов с обратным типом проводимости. Для создания действующих устройств приходилось наносить слой одного материала поверх другого. «Это усложняло и удорожало производство», — отмечает один из авторов работы Сэмсон Дженехе (Samson Jenekhe).

Возглавляемая г-ном Дженехе научная группа несколько лет занималась поиском органических полупроводников n-типа; опираясь на результаты проведенных за эти годы исследований, авторы создали полимер с донорной и акцепторной «частями». Полученный материал должен, по мнению исследователей, значительно упростить производство органических полупроводниковых схем, приблизив его к стандартам современной кремниевой технологии.

Авторы уже создали опытные образцы амбиполярных транзисторов и схем на базе нового материала. В экспериментах с транзисторами были зарегистрированы значения подвижности для электронов и дырок в 0,04 и 0,003 см²•В^-1•с^-1 соответственно. «Надеюсь, производители нас поддержат и будут использовать этот полупроводник», — заключает г-н Дженехе.