Ученые НИСТ разработали гибкий мемристор

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

-->

Исследователи из НИСТ (Национального института стандартов и технологий) США разработали простую технологию формирования элементов памяти на основе легко доступного и достаточно дешевого материала — диоксида титана.

Электронные компоненты, которые можно сильно согнуть, не ломая их, важны вовсе не только потому, что кто-то часто роняет свой плеер. Такие компоненты просто необходимы во многих приложениях, например, для создания микроскопических датчиков жизненно важных медицинских показателей организма (частота пульса, уровень сахара в крови и т.д.), которые могут быть прикреплены к коже, не обременяя пациента. Несмотря на то, что некоторые гибкие компоненты существуют на практике, создание гибких элементов памяти, по данным специалистов НИСТ, вплоть до настоящего времени наталкивалось на непреодолимые технические барьеры.

В поисках решения исследователи НИСТ экспериментировали с полимерными пленками, примерно такими же, как используются для слайдов в проекторах настенного изображения, нанося на них тонкие слои диоксида титана) (двуокиси титана – TiO2) – одного из основных компонентов солнцезащитных кремов.

Исследователи отказались от традиционных ресурсоемких способов получения тонких пленок диоксида титана и попытались создать такую пленку на полимерной подложке методом золь-гель (эта технология предусматривает осаждение вещества из коллоидного раствора при его раскручивании под действием центробежной силы). Добавив электрические контакты, исследователи получили гибкий элемент, который функционирует при напряжении около 10 В, сохраняет работоспособность после четырех тысяч циклов изгиба и «запоминает» свое состояние на время выключения питания. Результаты исследований будут опубликованы в июльском номере журнала IEEE Electron Device Letters.

FlexibleMemoryChip_060509.jpg По своим свойствам элемент соответствует мемристору — двухполюснику, сопротивление которого изменяется в зависимости от общей величины проходящего через него заряда.

Разработчики гибкого мемристора уже подали заявку на получение патента; в настоящий момент они приступают к тщательному анализу характеристик элемента. Поскольку активная составляющая нового элемента изготавливается на основе жидкости, в будущем исследователи надеются научиться создавать запоминающие устройства так же легко, как сейчас наносят изображение на прозрачные пленки, используемые в проекционных аппаратах, таково мнение исследователей.

Следует отметить, что наш сайт внимательно следит за развитием этой области электроники, неоднократно обращая внимание нашего читателя на достижения в этой области:

http://www.nanonewsnet.ru/…ry-v-hp-labs

http://www.nanonewsnet.ru/…-hewlett-pac

http://www.nanonewsnet.ru/…trodeistviem

Евгений Биргер

Опубликовано в NanoWeek,


Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.5 (10 votes)
Источник(и):

http://www.nist.gov/…009_0602.htm#…