В институте Физики Национальной Академии Наук Азербайджана и Национальной Академии Авиации ЗАО «Азербайджан Хава Йоллары» проведены фунда-ментальные исследования по физике, технологии и технике двойных, тройных редкоземельных и щелочноземельных халькогенидных полупроводников типа Ga₂S₃ и EuGa₂S₄, CaGa₂S₄.

Все материалы активированы редкоземельными элементами. В интервале температур 4,2 ÷ 500 K под действием электрического поля, ультрафиолетовых, рентгеновских, радиационных излучений и катодных лучей эффективно светятся. На их основе изготовлены люминесцентные лампы свечением желтого, зеленого и красного цветов. Также материалы являются перспективными для создания экранов рентгеновских установок и дозиметров радиационных излучений. По токовым характеристикам они превосходят классические катодолюминофоры. Удельное сопротивление и ширина запрещенной зоны полученных материалов при комнатной температуре изменяются в интервале 10⁸-10¹⁰-Ом/см и 2,3 – 4,4 Эв.